|
від 21 листопада 2007 р. N 1355
Київ
|
|
Прем'єр-міністр України
|
В.ЯНУКОВИЧ
|
|
Інд. 42
|
ЗАТВЕРДЖЕНО
постановою Кабінету Міністрів України
від 21 листопада 2007 р. N 1355
освоєння випуску не охолоджуваних багатоелементних чутливих
приймачів терагерцового діапазону на основі напівпровідників типу
2 6 4 6
A B та A B для систем активного бачення та ідентифікації
вибухонебезпечних речовин, наркотиків тощо;
Обсяги та джерела фінансування
Додаток 1
до Програми
| Джерела фінансування | Обсяг фінансування | У тому числі за роками | |||
| 2008 | 2009 | 2010 | 2011 | ||
| Державний бюджет | 60 | 15,35 | 16,25 | 15,1 | 13,3 |
| Інші джерела | 20 | 5 | 5 | 5 | 5 |
| Усього | 80 | 20,35 | 21,25 | 20,1 | 18,3 |
Додаток 2
до Програми
----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
| Найменування | Найменування | Значення показника | Найменування | Головний | Джерела |Прог-| У тому числі за |
| завдання | показника |-------------------------| заходу |розпорядник| фінансу-| ноз-| роками: |
| | |усьо-| за роками | | бюджетних | вання | ний |---------------------|
| | | го |-------------------| | коштів | |обсяг| 2008| 2009|2010|2011|
| | | |2008|2009|2010|2011| | | |фіна-| | | | |
| | | | | | | | | | | нсо-| | | | |
| | | | | | | | | | | вих | | | | |
| | | | | | | | | | |ресу-| | | | |
| | | | | | | | | | |рсів | | | | |
| | | | | | | | | | | для | | | | |
| | | | | | | | | | |вико-| | | | |
| | | | | | | | | | |нання| | | | |
| | | | | | | | | | |зав- | | | | |
| | | | | | | | | | |дань,| | | | |
| | | | | | | | | | |млн. | | | | |
| | | | | | | | | | |гри- | | | | |
| | | | | | | | | | |вень | | | | |
|------------------+---------------+-----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----|
|1. Створення | | | | | | | |Національна| | | | | | |
|мікроелектронних | | | | | | | | академія | | | | | | |
|приладів для сфери| | | | | | | | наук | | | | | | |
|охорони здоров'я, | | | | | | | | | | | | | | |
|моніторингу | | | | | | | | | | | | | | |
|(зокрема, | | | | | | | | | | | | | | |
|ядерного) | | | | | | | | | | | | | | |
|навколишнього | | | | | | | | | | | | | | |
|природного | | | | | | | | | | | | | | |
|середовища, | | | | | | | | | | | | | | |
|запобігання | | | | | | | | | | | | | | |
|тероризму | | | | | | | | | | | | | | |
| |---------------+-----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----|
| |нові види | 1 | 1 | | | |1) розроблення | |державний| 0,2 | 0,2 | | | |
| |приладів | | | | | |конструкції | | бюджет | | | | | |
| | | | | | | |ультрафіолетових,| | | | | | | |
| | | | | | | |нейтронних і | | | | | | | |
| | | | | | | |рентгенівських | | | | | | | |
| | | | | | | |сенсорів та | | | | | | | |
| | | | | | | |дозиметрів | | | | | | | |
| |---------------+-----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----|
| |дослідно- | 1 | 1 | | | |2) розроблення | | -"- |8,55 | 4,7 | 2,6 |0,85|0,4 |
| |конструкторські| | | | | |технології | | | | | | | |
| |роботи | | | | | |виготовлення | | | | | | | |
| | | | | | | |сенсорів для | | | | | | | |
| |---------------+-----+----+----+----+----|рентгенівських | | | | | | | |
| |технології | 1 | | | 1 | |сканерів, | | | | | | | |
| |світового рівня| | | | | |спектрометричних | | | | | | | |
| | | | | | | |порталів та | | | | | | | |
| | | | | | | |приладів контролю| | | | | | | |
| | | | | | | |радіаційної | | | | | | | |
| | | | | | | |обстановки. | | | | | | | |
| |---------------+-----+----+----+----+----|Відпрацювання | | | | | | | |
| |технологічні | 2 | | | | 2 |оптимальних | | | | | | | |
| |регламенти | | | | | |технологічних | | | | | | | |
| | | | | | | |режимів | | | | | | | |
| | | | | | | |вирощування | | | | | | | |
| |---------------+-----+----+----+----+----|сцинтиляційних | | | | | | | |
| |нові види | 1 | | | | 1 |кристалів з | | | | | | | |
| |приладів | | | | | |наперед заданими | | | | | | | |
| | | | | | | |властивостями. | | | | | | | |
| | | | | | | |Виготовлення | | | | | | | |
| | | | | | | |технологічного | | | | | | | |
| | | | | | | |обладнання. | | | | | | | |
| | | | | | | |Розроблення | | | | | | | |
| | | | | | | |технологічного | | | | | | | |
| | | | | | | |регламенту | | | | | | | |
| | | | | | | |вирощування та | | | | | | | |
| | | | | | | |обробки | | | | | | | |
| | | | | | | |кристалів. | | | | | | | |
| | | | | | | |Розроблення | | | | | | | |
| | | | | | | |конструкцій | | | | | | | |
| | | | | | | |порталів та | | | | | | | |
| | | | | | | |рентгенівських | | | | | | | |
| | | | | | | |сканерів | | | | | | | |
| |---------------+-----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----|
| |дослідно- | 1 | | 1 | | |3) розроблення | |державний| 0,8 | | 0,4 |0,4 | |
| |конструкторські| | | | | |нового покоління | | бюджет | | | | | |
| |роботи | | | | | |лінійних та | | | | | | | |
| | | | | | | |матричних | | | | | | | |
| | | | | | | |формувачів | | | | | | | |
| | | | | | | |рентгенівського | | | | | | | |
| | | | | | | |зображення. | | | | | | | |
| | | | | | | |Виготовлення | | | | | | | |
| | | | | | | |дослідних зразків| | | | | | | |
| | | | | | | |виробів | | | | | | | |
| |---------------+-----+----+----+----+----| | | | | | | | |
| |технології | 1 | | | 1 | | | | | | | | | |
| |світового рівня| | | | | | | | | | | | | |
| |---------------+-----+----+----+----+----| | | | | | | | |
| |технологічні | 1 | | | 1 | | | | | | | | | |
| |регламенти | | | | | | | | | | | | | |
| |---------------+-----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----|
| |технологічні | 1 | | 1 | | |4) виготовлення | | -"- |3,62 | | 1,8 |1,82| |
| |регламенти | | | | | |дослідних зразків| | | | | | | |
| | | | | | | |порталів та | | | | | | | |
| | | | | | | |рентгенівських | | | | | | | |
| | | | | | | |сканерів, | | | | | | | |
| | | | | | | |приладів широкого| | | | | | | |
| | | | | | | |спектра дії | | | | | | | |
| | | | | | | |для контролю за | | | | | | | |
| | | | | | | |радіаційною | | | | | | | |
| | | | | | | |обстановкою | | | | | | | |
| |---------------+-----+----+----+----+----| | | | | | | | |
| |нові види | 1 | | | 1 | | | | | | | | | |
| |приладів | | | | | | | | | | | | | |
| |---------------+-----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----|
| |дослідно- | 1 | | | 1 | |5) створення | | -"- |2,83 | | |0,7 |2,13|
| |конструкторські| | | | | |дослідної | | | | | | | |
| |роботи | | | | | |промислової | | | | | | | |
| | | | | | | |ділянки для | | | | | | | |
| | | | | | | |виробництва | | | | | | | |
| | | | | | | |порталів та | | | | | | | |
| | | | | | | |рентгенівських | | | | | | | |
| | | | | | | |сканерів | | | | | | | |
| |---------------+-----+----+----+----+----| | | | | | | | |
| |технологічні | 1 | | | | 1 | | | | | | | | |
| |регламенти | | | | | | | | | | | | | |
| |---------------+-----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----|
| | | | | | | | | | інші | 3 |0,75 |0,75 |0,75|0,75|
| |---------------+-----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----|
| | | | | | | | | разом | |5,83 |0,75 |0,75 |1,45|2,88|
| |---------------+-----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----|
| |дослідно- | 1 | | 1 | | |6) організація | |державний| 3,1 | | 0,4 | 1 |1,7 |
| |конструкторські| | | | | |промислового | | бюджет | | | | | |
| |роботи | | | | | |виробництва | | | | | | | |
| | | | | | | |ультрафіолетових | | | | | | | |
| | | | | | | |і рентгенівських | | | | | | | |
| | | | | | | |сенсорів, | | | | | | | |
| | | | | | | |дозиметрів та | | | | | | | |
| | | | | | | |приладів широкого| | | | | | | |
| | | | | | | |спектра дії для | | | | | | | |
| |---------------+-----+----+----+----+----|контролю за | | | | | | | |
| |технології | 2 | | | 1 | 1 |радіаційною | | | | | | | |
| |світового рівня| | | | | |обстановкою | | | | | | | |
| |---------------+-----+----+----+----+----| | | | | | | | |
| |нові види | 1 | | | | 1 | | | | | | | | |
| |приладів | | | | | | | | | | | | | |
| |---------------+-----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----|
| | | | | | | | | | інші | 5,6 | 1,4 | 1,4 |1,4 |1,4 |
| |---------------+-----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----|
| | | | | | | | | разом | | 8,7 | 1,4 | 1,8 |2,4 |3,1 |
| |---------------+-----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----|
| |дослідно- | 1 | 1 | | | |7) розроблення | |державний|1,36 |0,35 |0,37 |0,34|0,3 |
| |конструкторські| | | | | |технології | | бюджет | | | | | |
| |роботи | | | | | |виготовлення | | | | | | | |
| | | | | | | |дозиметрів на | | | | | | | |
| | | | | | | |основі | | | | | | | |
| | | | | | | |полімерних та | | | | | | | |
| | | | | | | |полікристалічних | | | | | | | |
| | | | | | | |сцинтиляційних | | | | | | | |
| | | | | | | |матеріалів для | | | | | | | |
| | | | | | | |реєстрації | | | | | | | |
| | | | | | | |радіонуклідів у | | | | | | | |
| |---------------+-----+----+----+----+----|навколишньому | | | | | | | |
| |технології | 2 | | 1 | 1 | |середовищі. | | | | | | | |
| |світового рівня| | | | | |Створення | | | | | | | |
| | | | | | | |дослідних зразків| | | | | | | |
| | | | | | | |дозиметрів для | | | | | | | |
| | | | | | | |визначення | | | | | | | |
| | | | | | | |низьких | | | | | | | |
| | | | | | | |активностей | | | | | | | |
| | | | | | | |бета- | | | | | | | |
| | | | | | | |радіонуклідів | | | | | | | |
| |---------------+-----+----+----+----+----|у водному | | | | | | | |
| |нові види | 1 | | | | 1 |середовищі | | | | | | | |
| |матеріалів | | | | | | | | | | | | | |
| |---------------+-----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----|
| |технології | 2 | | 1 | | 1 |8) створення | |державний|0,32 |0,13 |0,05 |0,07|0,07|
| |світового рівня| | | | | |нових матеріалів | | бюджет | | | | | |
| | | | | | | |і конструкцій | | | | | | | |
| | | | | | | |блоків | | | | | | | |
| | | | | | | |детектування | | | | | | | |
| | | | | | | |іонізуючого | | | | | | | |
| | | | | | | |випромінювання на| | | | | | | |
| | | | | | | |базі кристалів | | | | | | | |
| | | | | | | |важких оксидів. | | | | | | | |
| | | | | | | |Виготовлення | | | | | | | |
| |---------------+-----+----+----+----+----|дослідної партії | | | | | | | |
| |нові матеріали | 1 | | | 1 | |блоків | | | | | | | |
| | | | | | | |детектування | | | | | | | |
| |---------------+-----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----|
| |дослідно- | 2 | 1 | | 1 | |9) розроблення | | -"- |1,43 |0,47 |0,43 |0,39|0,14|
| |конструкторські| | | | | |детекторного | | | | | | | |
| |роботи | | | | | |матеріалу і | | | | | | | |
| | | | | | | |конструкцій | | | | | | | |
| | | | | | | |широкодіапазон- | | | | | | | |
| | | | | | | |ного, аварійного | | | | | | | |
| | | | | | | |та | | | | | | | |
| | | | | | | |спектрометричного| | | | | | | |
| | | | | | | |блоків | | | | | | | |
| | | | | | | |детектування на | | | | | | | |
| | | | | | | |основі кристалів | | | | | | | |
| | | | | | | |CdZnTe для систем| | | | | | | |
| | | | | | | |контролю гамма- | | | | | | | |
| | | | | | | |випромінювання в | | | | | | | |
| | | | | | | |атомній | | | | | | | |
| | | | | | | |енергетиці | | | | | | | |
| |---------------+-----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----|
| |дослідно- | 2 | 1 | 1 | | |10) створення | | -"- |0,82 |0,26 |0,17 |0,17|0,22|
| |конструкторські| | | | | |технології і | | | | | | | |
| |роботи | | | | | |дослідних ділянок| | | | | | | |
| | | | | | | |вирощування | | | | | | | |
| | | | | | | |детекторних | | | | | | | |
| | | | | | | |кристалів CdZnTe.| | | | | | | |
| | | | | | | |Виготовлення | | | | | | | |
| | | | | | | |детекторів і | | | | | | | |
| |---------------+-----+----+----+----+----|блоків | | | | | | | |
| |технології | 1 | | | 1 | |детектування | | | | | | | |
| |світового рівня| | | | | | | | | | | | | |
| |---------------+-----+----+----+----+----| | | | | | | | |
| |технологічні | 1 | | | | 1 | | | | | | | | |
| |регламенти | | | | | | | | | | | | | |
| |---------------+-----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----|
| |дослідно- | 2 | | 1 | | 1 |11) випуск | | -"- | 0,6 | |0,19 |0,17|0,24|
| |конструкторські| | | | | |дослідної партії | | | | | | | |
| |роботи | | | | | |кристалів CdZnTe,| | | | | | | |
| | | | | | | |дозиметричних, | | | | | | | |
| | | | | | | |аварійних і | | | | | | | |
| | | | | | | |спектрометричних | | | | | | | |
| | | | | | | |блоків | | | | | | | |
| | | | | | | |детектування | | | | | | | |
| |---------------+-----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----|
| |технології | 2 | 1 | | | 1 |12) організація | | -"- |0,89 |0,29 |0,22 |0,19|0,19|
| |світового рівня| | | | | |дослідно- | | | | | | | |
| | | | | | | |промислового | | | | | | | |
| | | | | | | |виробництва | | | | | | | |
| | | | | | | |кристалів CdZnTe | | | | | | | |
| | | | | | | |для детекторів | | | | | | | |
| | | | | | | |ядерного | | | | | | | |
| | | | | | | |випромінювання | | | | | | | |
| | | | | | | |спектрометричної | | | | | | | |
| | | | | | | |якості, створення| | | | | | | |
| | | | | | | |дослідно- | | | | | | | |
| | | | | | | |промислового | | | | | | | |
| | | | | | | |виробництва | | | | | | | |
| | | | | | | |приладів для | | | | | | | |
| | | | | | | |дозиметрії і | | | | | | | |
| | | | | | | |моніторингу | | | | | | | |
| | | | | | | |території атомних| | | | | | | |
| | | | | | | |електростанцій, | | | | | | | |
| | | | | | | |аналізу | | | | | | | |
| | | | | | | |ізотопного складу| | | | | | | |
| | | | | | | |і контролю | | | | | | | |
| | | | | | | |герметичності | | | | | | | |
| | | | | | | |тепловипроміню- | | | | | | | |
| | | | | | | |вачів, | | | | | | | |
| | | | | | | |неруйнівного | | | | | | | |
| | | | | | | |контролю | | | | | | | |
| | | | | | | |елементів атомних| | | | | | | |
| | | | | | | |електростанцій | | | | | | | |
| |---------------+-----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----|
| | | | | | | | | | інші | 2 | 0,5 | 0,5 |0,5 |0,5 |
| |---------------+-----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----|
| | | | | | | | | разом | |2,89 |0,79 |0,72 |0,69|0,69|
| |---------------+-----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----|
| |дослідно- | 2 | 1 | 1 | | |13) освоєння | |державний| 0,8 | 0,2 | 0,2 |0,2 |0,2 |
| |конструкторські| | | | | |серійного | | бюджет | | | | | |
| |роботи | | | | | |виробництва: | | | | | | | |
| | | | | | | |кремнієвих p-i-n | | | | | | | |
| | | | | | | |фотодіодів, | | | | | | | |
| | | | | | | |багатоелементних | | | | | | | |
| | | | | | | |(16-, 32-, 64- | | | | | | | |
| | | | | | | |канальних) p-i-n | | | | | | | |
| | | | | | | |фотодіодних | | | | | | | |
| | | | | | | |лінійок; | | | | | | | |
| | | | | | | |ультрафіолетових | | | | | | | |
| | | | | | | |сенсорів на | | | | | | | |
| | | | | | | |основі ZnSe. | | | | | | | |
| | | | | | | |Комплектування | | | | | | | |
| | | | | | | |ділянок | | | | | | | |
| | | | | | | |складальним, | | | | | | | |
| | | | | | | |технологічним та | | | | | | | |
| | | | | | | |контрольно- | | | | | | | |
| | | | | | | |вимірювальним | | | | | | | |
| | | | | | | |обладнанням, | | | | | | | |
| | | | | | | |відпрацювання | | | | | | | |
| | | | | | | |складальних | | | | | | | |
| |---------------+-----+----+----+----+----|процесів та | | | | | | | |
| |технологи | 2 | 1 | | 1 | |методик. | | | | | | | |
| |світового рівня| | | | | |Розроблення | | | | | | | |
| | | | | | | |робочої | | | | | | | |
| | | | | | | |документації. | | | | | | | |
| | | | | | | |Виготовлення | | | | | | | |
| | | | | | | |партій виробів | | | | | | | |
| |---------------+-----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----|
| |дослідно- | 2 | 1 | 1 | | |14) розроблення | | -"- |0,65 |0,15 |0,15 |0,2 |0,15|
| |конструкторські| | | | | |та випуск | | | | | | | |
| |роботи | | | | | |інтегральної | | | | | | | |
| | | | | | | |схеми кремнієвої | | | | | | | |
| | | | | | | |лінійки на 128 | | | | | | | |
| | | | | | | |(256, 512) | | | | | | | |
| | | | | | | |елементів з | | | | | | | |
| | | | | | | |електронікою | | | | | | | |
| | | | | | | |зчитування | | | | | | | |
| | | | | | | |сигналів на | | | | | | | |
| | | | | | | |кристалі | | | | | | | |
| | | | | | | |мікросхеми для | | | | | | | |
| | | | | | | |портативного | | | | | | | |
| | | | | | | |лінійного | | | | | | | |
| | | | | | | |формувача | | | | | | | |
| | | | | | | |рентгенівського | | | | | | | |
| |---------------+-----+----+----+----+----|зображення | | | | | | | |
| |технології | 1 | | | 1 | | | | | | | | | |
| |світового рівня| | | | | | | | | | | | | |
| |---------------+-----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----|
| |дослідно- | 2 | 1 | 1 | | |15) розроблення | | -"- |0,31 |0,07 |0,07 |0,1 |0,07|
| |конструкторські| | | | | |інтегральної | | | | | | | |
| |роботи | | | | | |схеми кремнієвої | | | | | | | |
| | | | | | | |матриці форматом | | | | | | | |
| | | | | | | |25 х 25 мм та | | | | | | | |
| | | | | | | |інтегральних схем| | | | | | | |
| | | | | | | |зчитування | | | | | | | |
| | | | | | | |електроніки для | | | | | | | |
| | | | | | | |двохкоординатного| | | | | | | |
| | | | | | | |формувача | | | | | | | |
| | | | | | | |рентгенівського | | | | | | | |
| | | | | | | |зображення для | | | | | | | |
| | | | | | | |інспекційних | | | | | | | |
| | | | | | | |сканерів, | | | | | | | |
| | | | | | | |томографів, | | | | | | | |
| | | | | | | |дефектоскопів, | | | | | | | |
| | | | | | | |дентальних | | | | | | | |
| | | | | | | |апаратів, | | | | | | | |
| | | | | | | |контролю поштових| | | | | | | |
| |---------------+-----+----+----+----+----|відправлень | | | | | | | |
| |технології | 1 | | | 1 | | | | | | | | | |
| |світового рівня| | | | | | | | | | | | | |
| |---------------+-----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----|
| |дослідно- | 2 | 1 | 1 | | |16) розроблення | | -"- |0,34 |0,08 |0,08 |0,1 |0,08|
| |конструкторські| | | | | |технології | | | | | | | |
| |роботи | | | | | |створення | | | | | | | |
| | | | | | | |інтегрованих | | | | | | | |
| | | | | | | |детекторів | | | | | | | |
| | | | | | | |випромінювань на | | | | | | | |
| | | | | | | |основі | | | | | | | |
| | | | | | | |гетероструктур | | | | | | | |
| | | | | | | |напівпровідник- | | | | | | | |
| | | | | | | |сцинтилятор | | | | | | | |
| | | | | | | | II IV | | | | | | | |
| |---------------+-----+----+----+----+----|(A B сполука)| | | | | | | |
| |технології | 1 | | | 1 | | | | | | | | | |
| |світового рівня| | | | | | | | | | | | | |
|------------------+---------------+-----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----|
|Разом за завданням| | | | | | | | | |37,22|9,55 |9,78 |9,35|8,54|
|1 | | | | | | | | | | | | | | |
|------------------+---------------+-----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----|
|у тому числі | | | | | | | | | -"- |26,62| 6,9 |7,13 |6,7 |5,89|
| | | | | | | | | |---------+-----+-----+-----+----+----|
| | | | | | | | | | інші |10,6 |2,65 |2,65 |2,65|2,65|
|------------------+---------------+-----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----|
|2. Створення | | | | | | | |Національна| | | | | | |
|принципово нових | | | | | | | | академія | | | | | | |
|матеріалів, у тому| | | | | | | | наук | | | | | | |
|числі | | | | | | | | | | | | | | |
|наноматеріалів, | | | | | | | | | | | | | | |
|компонентів для | | | | | | | | | | | | | | |
|мікроелектроніки | | | | | | | | | | | | | | |
| |---------------+-----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----|
| |дослідно- | 2 | 1 | | 1 | |1) розроблення | |державний|4,41 |1,15 |1,27 |1,09|0,9 |
| |конструкторські| | | | | |технології | | бюджет | | | | | |
| |роботи | | | | | |одержання нових | | | | | | | |
| | | | | | | |напівпровіднико- | | | | | | | |
| | | | | | | |вих матеріалів на| | | | | | | |
| | | | | | | |основі квантових | | | | | | | |
| | | | | | | |точок | | | | | | | |
| | | | | | | |халькогенідів для| | | | | | | |
| | | | | | | |створення | | | | | | | |
| | | | | | | |емітерів світла | | | | | | | |
| | | | | | | |видимого і | | | | | | | |
| | | | | | | |ближнього | | | | | | | |
| | | | | | | |інфрачервоного | | | | | | | |
| | | | | | | |діапазону | | | | | | | |
| | | | | | | |(500-1400 нм) з | | | | | | | |
| | | | | | | |регульованим | | | | | | | |
| | | | | | | |спектром | | | | | | | |
| | | | | | | |випромінювання. | | | | | | | |
| | | | | | | |Виготовлення | | | | | | | |
| |---------------+-----+----+----+----+----|дослідних | | | | | | | |
| |нові види | 2 | | 1 | | 1 |зразків | | | | | | | |
| |матеріалів | | | | | |світлодіодів | | | | | | | |
| |---------------+-----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----|
| |дослідно- | 1 | 1 | | | |2) розроблення | | -"- |5,25 | 1,5 | 1,4 |1,25|1,1 |
| |конструкторські| | | | | |технології | | | | | | | |
| |роботи | | | | | |виготовлення | | | | | | | |
| | | | | | | |нанокераміки на | | | | | | | |
| | | | | | | |основі важких | | | | | | | |
| | | | | | | |оксидів | | | | | | | |
| | | | | | | |рідкісноземельних| | | | | | | |
| | | | | | | |металів для | | | | | | | |
| | | | | | | |реєстрації | | | | | | | |
| | | | | | | |іонізуючого | | | | | | | |
| | | | | | | |випромінювання. | | | | | | | |
| | | | | | | |Розроблення | | | | | | | |
| | | | | | | |технологічного | | | | | | | |
| | | | | | | |регламенту | | | | | | | |
| | | | | | | |виготовлення | | | | | | | |
| | | | | | | |нанокераміки. | | | | | | | |
| | | | | | | |Випуск дослідної | | | | | | | |
| | | | | | | |партії | | | | | | | |
| | | | | | | |сцинтиляційних | | | | | | | |
| | | | | | | |елементів для | | | | | | | |
| | | | | | | |реєстрації | | | | | | | |
| |---------------+-----+----+----+----+----|рентгенівських та| | | | | | | |
| |технологічні | 1 | | | 1 | |гамма-квантів | | | | | | | |
| |регламенти | | | | | | | | | | | | | |
| |---------------+-----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----|
| |дослідно- | 2 | 1 | | 1 | |3) розроблення | | -"- |13,1 | 3,1 | 3,5 |3,4 |3,1 |
| |конструкторські| | | | | |технології | | | | | | | |
| |роботи | | | | | |отримання | | | | | | | |
| | | | | | | |високоякісних | | | | | | | |
| | | | | | | |підкладок із | | | | | | | |
| | | | | | | |сапфіру для | | | | | | | |
| | | | | | | |структур кремній | | | | | | | |
| | | | | | | |на сапфірі, для | | | | | | | |
| | | | | | | |світлодіодів та | | | | | | | |
| | | | | | | |інших | | | | | | | |
| | | | | | | |комплектуючих | | | | | | | |
| | | | | | | |приладів | | | | | | | |
| | | | | | | |мікроелектроніки.| | | | | | | |
| | | | | | | |Створення | | | | | | | |
| | | | | | | |дослідно- | | | | | | | |
| | | | | | | |промислової | | | | | | | |
| | | | | | | |ділянки і | | | | | | | |
| | | | | | | |виготовлення | | | | | | | |
| | | | | | | |підкладок із | | | | | | | |
| |---------------+-----+----+----+----+----|кристалів, | | | | | | | |
| |технології | 2 | | 1 | | 1 |вирощених різними| | | | | | | |
| |світового рівня| | | | | |методами для | | | | | | | |
| | | | | | | |великих | | | | | | | |
| | | | | | | |інтегральних | | | | | | | |
| | | | | | | |схем, | | | | | | | |
| | | | | | | |світлодіодів тощо| | | | | | | |
| |---------------+-----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----|
| | | | | | | | | | інші | 7 |1,75 |1,75 |1,75|1,75|
| |---------------+-----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----|
| | | | | | | | | разом | |20,1 |4,85 |5,25 |5,15|4,85|
| |---------------+-----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----|
| |дослідно- | 2 | 1 | | 1 | |4) розроблення | |державний|1,52 | 0,4 |0,46 |0,35|0,31|
| |конструкторські| | | | | |іонно-плазмової | | бюджет | | | | | |
| |роботи | | | | | |технології | | | | | | | |
| | | | | | | |одержання | | | | | | | |
| | | | | | | |кристалічних | | | | | | | |
| | | | | | | |плівок SiC на | | | | | | | |
| | | | | | | |кремнієвих і | | | | | | | |
| | | | | | | |сапфірових | | | | | | | |
| | | | | | | |підкладках для | | | | | | | |
| | | | | | | |створення | | | | | | | |
| | | | | | | |фотоперетворюючих| | | | | | | |
| | | | | | | |приладів | | | | | | | |
| | | | | | | |авіаційної і | | | | | | | |
| | | | | | | |атомної | | | | | | | |
| | | | | | | |промисловості. | | | | | | | |
| | | | | | | |Виготовлення та | | | | | | | |
| | | | | | | |натурні | | | | | | | |
| | | | | | | |випробування | | | | | | | |
| | | | | | | |макетів | | | | | | | |
| |---------------+-----+----+----+----+----|ультрафіолетових | | | | | | | |
| |технології | 1 | | 1 | | |сенсорів у | | | | | | | |
| |світового рівня| | | | | |широкому | | | | | | | |
| | | | | | | |діапазоні | | | | | | | |
| | | | | | | |термічних та | | | | | | | |
| | | | | | | |радіаційних дій | | | | | | | |
|------------------+---------------+-----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----|
|Разом за завданням| | | | | | | | | |31,28| 7,9 |8,38 |7,84|7,16|
|2 | | | | | | | | | | | | | | |
|------------------+---------------+-----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----|
|у тому числі | | | | | | | | |державний|24,28|6,15 |6,63 |6,09|5,41|
| | | | | | | | | | бюджет | | | | | |
| | | | | | | | | |---------+-----+-----+-----+----+----|
| | | | | | | | | | інші | 7 |1,75 |1,75 |1,75|1,75|
|------------------+---------------+-----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----|
|3. Створення | | | | | | | |Національна| | | | | | |
|приладів | | | | | | | | академія | | | | | | |
|інфрачервоної | | | | | | | | наук | | | | | | |
|мікроелектроніки | | | | | | | | | | | | | | |
| |---------------+-----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----|
| |технології | 2 | | 1 | 1 | |1) розроблення | |державний|1,79 |0,67 |0,75 |0,37| |
| |світового рівня| | | | | |конструкторської | | бюджет | | | | | |
| | | | | | | |документації на | | | | | | | |
| | | | | | | |виготовлення | | | | | | | |
| | | | | | | |дослідного зразка| | | | | | | |
| | | | | | | |тепловізора з | | | | | | | |
| | | | | | | |інфрачервоною | | | | | | | |
| | | | | | | |фотоприймальною | | | | | | | |
| | | | | | | |матрицею формату | | | | | | | |
| | | | | | | |128 х 128 | | | | | | | |
| | | | | | | |діапазону 3-5 мкм| | | | | | | |
| | | | | | | |з послідовним | | | | | | | |
| | | | | | | |зчитуванням | | | | | | | |
| | | | | | | |інформації. | | | | | | | |
| | | | | | | |Виготовлення | | | | | | | |
| |---------------+-----+----+----+----+----|дослідного зразка| | | | | | | |
| |технологічні | 2 | | 1 | 1 | |тепловізора та | | | | | | | |
| |регламенти | | | | | |проведення його | | | | | | | |
| | | | | | | |натурних | | | | | | | |
| | | | | | | |випробувань | | | | | | | |
| |---------------+-----+----+----+----+----| | | | | | | | |
| |нові види | 1 | | | 1 | | | | | | | | | |
| |матеріалів | | | | | | | | | | | | | |
| |---------------+-----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----|
| |дослідно- | 1 | 1 | | | |2) створення | | -"- | 1,9 |0,58 |0,58 |0,37|0,37|
| |конструкторські| | | | | |комплементарно- | | | | | | | |
| |роботи | | | | | |метал-оксид- | | | | | | | |
| | | | | | | |напівпровіднико- | | | | | | | |
| | | | | | | |вої технології | | | | | | | |
| | | | | | | |виготовлення схем| | | | | | | |
| | | | | | | |зчитування | | | | | | | |
| | | | | | | |формату 4 х 288 з| | | | | | | |
| | | | | | | |часовою затримкою| | | | | | | |
| | | | | | | |та накопиченням, | | | | | | | |
| | | | | | | |фотоприймальних | | | | | | | |
| | | | | | | |пристроїв і | | | | | | | |
| | | | | | | |тепловізора із | | | | | | | |
| | | | | | | |зміною напрямку | | | | | | | |
| | | | | | | |сканування на їх | | | | | | | |
| | | | | | | |основі для систем| | | | | | | |
| | | | | | | |пасивного | | | | | | | |
| | | | | | | |спостереження, | | | | | | | |
| | | | | | | |теплопеленгації | | | | | | | |
| | | | | | | |та моніторингу | | | | | | | |
| | | | | | | |навколишнього | | | | | | | |
| | | | | | | |природного | | | | | | | |
| | | | | | | |середовища з | | | | | | | |
| | | | | | | |параметрами, | | | | | | | |
| | | | | | | |близькими до | | | | | | | |
| |---------------+-----+----+----+----+----|обмежених | | | | | | | |
| |технології | 2 | | | 1 | 1 |флуктуаціями | | | | | | | |
| |світового рівня| | | | | |фонового | | | | | | | |
| | | | | | | |випромінювання | | | | | | | |
| | | | | | | |при полі зору | | | | | | | |
| | | | | | | |<= 30 град. | | | | | | | |
| | | | | | | |(D(л) * приблизно| | | | | | | |
| | | | | | | | 10 | | | | | | | |
| | | | | | | |8*10 см * | | | | | | | |
| | | | | | | | 1/2 -1 | | | | | | | |
| | | | | | | |Гц * Вт ) для| | | | | | | |
| | | | | | | |спектрального | | | | | | | |
| | | | | | | |діапазону | | | | | | | |
| | | | | | | |8-12 мкм. | | | | | | | |
| | | | | | | |Розроблення | | | | | | | |
| | | | | | | |конструкторської | | | | | | | |
| | | | | | | |документації, | | | | | | | |
| | | | | | | |виготовлення | | | | | | | |
| | | | | | | |тепловізора з | | | | | | | |
| | | | | | | |інфрачервоним | | | | | | | |
| | | | | | | |фотоприймачем | | | | | | | |
| | | | | | | |формату 4 х 288 | | | | | | | |
| |---------------+-----+----+----+----+----|та проведення | | | | | | | |
| |нові види | 1 | | | | 1 |його натурних | | | | | | | |
| |приладів | | | | | |випробувань | | | | | | | |
| |---------------+-----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----|
| |технологічні | 1 | | | | 1 |3) розроблення | |державний| 0,6 | | |0,3 |0,3 |
| |регламенти | | | | | |архітектури схем | | бюджет | | | | | |
| | | | | | | |зчитування та | | | | | | | |
| | | | | | | |матриць приймачів| | | | | | | |
| | | | | | | |випромінювання | | | | | | | |
| | | | | | | |формату 576 х 6, | | | | | | | |
| | | | | | | |виготовлення | | | | | | | |
| | | | | | | |дослідних зразків| | | | | | | |
| | | | | | | |схем зчитування | | | | | | | |
| | | | | | | |формату 576 х 6 | | | | | | | |
| | | | | | | |та їх атестація | | | | | | | |
| |---------------+-----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----|
| |дослідно- | 1 | | | 1 | |4) розроблення | | -"- |0,57 | | |0,19|0,38|
| |конструкторські| | | | | |неохолоджуваних | | | | | | | |
| |роботи | | | | | |багатоелементних | | | | | | | |
| | | | | | | |чутливих | | | | | | | |
| | | | | | | |приймачів | | | | | | | |
| | | | | | | |терагерцового | | | | | | | |
| | | | | | | |діапазону на | | | | | | | |
| | | | | | | |основі | | | | | | | |
| | | | | | | |напівпровідників | | | | | | | |
| | | | | | | | 2 6 4 6| | | | | | | |
| | | | | | | |типу A B та A B | | | | | | | |
| | | | | | | |(область спектра | | | | | | | |
| | | | | | | |0,15-8 мм) для | | | | | | | |
| | | | | | | |систем активного | | | | | | | |
| | | | | | | |бачення та | | | | | | | |
| | | | | | | |ідентифікації | | | | | | | |
| | | | | | | |вибухонебезпечних| | | | | | | |
| | | | | | | |речовин, | | | | | | | |
| | | | | | | |наркотиків, | | | | | | | |
| | | | | | | |складу | | | | | | | |
| | | | | | | |біологічних | | | | | | | |
| | | | | | | |та органічних | | | | | | | |
| | | | | | | |об'єктів. | | | | | | | |
| | | | | | | |Розроблення | | | | | | | |
| | | | | | | |конструкторської | | | | | | | |
| | | | | | | |документації на | | | | | | | |
| | | | | | | |виготовлення | | | | | | | |
| | | | | | | |лабораторних | | | | | | | |
| | | | | | | |зразків приймачів| | | | | | | |
| | | | | | | |міліметрового та | | | | | | | |
| | | | | | | |субміліметрового | | | | | | | |
| | | | | | | |діапазону спектра| | | | | | | |
| | | | | | | |на основі | | | | | | | |
| | | | | | | |неохолоджуваних | | | | | | | |
| | | | | | | |або слабо | | | | | | | |
| | | | | | | |охолоджуваних | | | | | | | |
| | | | | | | |болометрів на | | | | | | | |
| | | | | | | |гарячих носіях | | | | | | | |
| | | | | | | |для портативних | | | | | | | |
| | | | | | | |систем активного | | | | | | | |
| | | | | | | |бачення або | | | | | | | |
| | | | | | | |аналізаторів | | | | | | | |
| | | | | | | |спектра, | | | | | | | |
| | | | | | | |виготовлення | | | | | | | |
| | | | | | | |лабораторних | | | | | | | |
| | | | | | | |зразків | | | | | | | |
| | | | | | | |неохолоджуваних | | | | | | | |
| | | | | | | |багатоелементних | | | | | | | |
| | | | | | | |чутливих | | | | | | | |
| | | | | | | |приймачів | | | | | | | |
| | | | | | | |терагерцового | | | | | | | |
| | | | | | | |діапазону на | | | | | | | |
| | | | | | | |основі | | | | | | | |
| | | | | | | |напівпровідників | | | | | | | |
| | | | | | | |типу | | | | | | | |
| | | | | | | | 2 6 4 6 | | | | | | | |
| | | | | | | |A B та A B | | | | | | | |
|------------------+---------------+-----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----|
|Разом за завданням| | | | | | | | | |4,86 |1,25 |1,33 |1,23|1,05|
|3 | | | | | | | | | | | | | | |
|------------------+---------------+-----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----|
|у тому числі | | | | | | | | |державний|4,86 |1,25 |1,33 |1,23|1,05|
| | | | | | | | | | бюджет | | | | | |
|------------------+---------------+-----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----|
|4. Забезпечення | | | | | | | |Національна| | | | | | |
|розвитку | | | | | | | | академія | | | | | | |
|твердотільної | | | | | | | | наук | | | | | | |
|надвисокочастотної| | | | | | | | | | | | | | |
|електроніки | | | | | | | | | | | | | | |
|міліметрового | | | | | | | | | | | | | | |
|діапазону довжини | | | | | | | | | | | | | | |
|хвиль | | | | | | | | | | | | | | |
|------------------+---------------+-----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----|
| |дослідно- | 2 | 1 | | 1 | |1) розроблення і | | -"- |1,77 |0,45 |0,48 |0,45|0,39|
| |конструкторські| | | | | |впровадження у | | | | | | | |
| |роботи | | | | | |промислове | | | | | | | |
| | | | | | | |виробництво | | | | | | | |
| | | | | | | |суперпотужних | | | | | | | |
| | | | | | | |кремнієвих | | | | | | | |
| | | | | | | |лавино-пролітних | | | | | | | |
| | | | | | | |діодів восьмимі- | | | | | | | |
| | | | | | | |ліметрового | | | | | | | |
| | | | | | | |діапазону та | | | | | | | |
| | | | | | | |малогабаритної | | | | | | | |
| | | | | | | |навігаційної | | | | | | | |
| | | | | | | |апаратури на їх | | | | | | | |
| | | | | | | |основі. | | | | | | | |
| | | | | | | |Розроблення, | | | | | | | |
| | | | | | | |проектування та | | | | | | | |
| | | | | | | |виготовлення | | | | | | | |
| | | | | | | |генераторних | | | | | | | |
| |---------------+-----+----+----+----+----|надвисокочастот- | | | | | | | |
| |технології | 1 | | | | 1 |них модулів. | | | | | | | |
| |світового рівня| | | | | |Розроблення | | | | | | | |
| | | | | | | |технології та | | | | | | | |
| | | | | | | |впровадження в | | | | | | | |
| | | | | | | |промислове | | | | | | | |
| | | | | | | |виробництво | | | | | | | |
| | | | | | | |параметричного | | | | | | | |
| | | | | | | |ряду | | | | | | | |
| | | | | | | |суперпотужних (до| | | | | | | |
| | | | | | | |30 Вт) імпульсних| | | | | | | |
| | | | | | | |лавино-пролітних | | | | | | | |
| | | | | | | |діодів для | | | | | | | |
| | | | | | | |восьмиміліметро- | | | | | | | |
| | | | | | | |вого діапазону | | | | | | | |
| | | | | | | |частот для | | | | | | | |
| | | | | | | |створення | | | | | | | |
| |---------------+-----+----+----+----+----|новітніх систем | | | | | | | |
| |технологічні | 1 | | | 1 | |навігації. | | | | | | | |
| |регламенти | | | | | |Виготовлення | | | | | | | |
| | | | | | | |експериментальних| | | | | | | |
| | | | | | | |партій діодів в | | | | | | | |
| |---------------+-----+----+----+----+----|умовах | | | | | | | |
| |нові види | 1 | | | | 1 |промислового | | | | | | | |
| |матеріалів | | | | | |виробництва та | | | | | | | |
| |---------------+-----+----+----+----+----|випробування їх в| | | | | | | |
| |нові види | 1 | | | | 1 |апаратурі | | | | | | | |
| |приладів | | | | | |замовників | | | | | | | |
| |---------------+-----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----|
| | | | | | | | | | інші | 1 |0,25 |0,25 |0,25|0,25|
| |---------------+-----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----|
| | | | | | | | | разом | |2,77 | 0,7 |0,73 |0,7 |0,64|
| |---------------+-----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----|
| |дослідно- | 2 | 1 | | 1 | |2) розроблення та| |державний|1,75 |0,45 |0,47 |0,44|0,39|
| |конструкторські| | | | | |впровадження у | | бюджет | | | | | |
| |роботи | | | | | |промислове | | | | | | | |
| | | | | | | |виробництво над- | | | | | | | |
| | | | | | | |високочастотної | | | | | | | |
| | | | | | | |елементної бази | | | | | | | |
| | | | | | | |міліметрового і | | | | | | | |
| | | | | | | |терагерцевого | | | | | | | |
| | | | | | | |діапазонів та | | | | | | | |
| | | | | | | |апаратурних | | | | | | | |
| | | | | | | |модулів на основі| | | | | | | |
| | | | | | | |нових | | | | | | | |
| | | | | | | |перспективних | | | | | | | |
| | | | | | | |матеріалів типу | | | | | | | |
| | | | | | | |фосфід індію, | | | | | | | |
| | | | | | | |карбід кремнію та| | | | | | | |
| | | | | | | |структур на | | | | | | | |
| | | | | | | |основі | | | | | | | |
| | | | | | | |синтетичного | | | | | | | |
| | | | | | | |діаманта. | | | | | | | |
| |---------------+-----+----+----+----+----|Розроблення | | | | | | | |
| |технології | 2 | | | 1 | 1 |базових | | | | | | | |
| |світового рівня| | | | | |конструкцій | | | | | | | |
| | | | | | | |параметричного | | | | | | | |
| | | | | | | |ряду | | | | | | | |
| | | | | | | |високоефективних | | | | | | | |
| | | | | | | |InP діодів Ганна | | | | | | | |
| | | | | | | |міліметрового та | | | | | | | |
| | | | | | | |терагерцевого | | | | | | | |
| | | | | | | |діапазонів | | | | | | | |
| | | | | | | |(60-175 ГГц). | | | | | | | |
| | | | | | | |Розроблення | | | | | | | |
| | | | | | | |базової | | | | | | | |
| | | | | | | |конструкції | | | | | | | |
| | | | | | | |параметричного | | | | | | | |
| | | | | | | |ряду | | | | | | | |
| | | | | | | |високовольтних | | | | | | | |
| | | | | | | |швидкодіючих | | | | | | | |
| | | | | | | |надвисокочастот- | | | | | | | |
| |---------------+-----+----+----+----+----|них перемикаючих | | | | | | | |
| |технологічні | 2 | | | 1 | 1 |4H-SiC p-i-n | | | | | | | |
| |регламенти | | | | | |діодів | | | | | | | |
| | | | | | | |Розроблення | | | | | | | |
| | | | | | | |технології | | | | | | | |
| | | | | | | |виробництва | | | | | | | |
| | | | | | | |високовольтних | | | | | | | |
| | | | | | | |(до 1500 В) | | | | | | | |
| | | | | | | |швидкодіючих | | | | | | | |
| | | | | | | |(до 40 нсек) | | | | | | | |
| | | | | | | |надвисокочастот- | | | | | | | |
| | | | | | | |них перемикаючих | | | | | | | |
| | | | | | | |4H-SiC p-i-n | | | | | | | |
| | | | | | | |діодів, | | | | | | | |
| | | | | | | |призначених для | | | | | | | |
| | | | | | | |новітніх систем | | | | | | | |
| | | | | | | |зв'язку та | | | | | | | |
| | | | | | | |радіолокації, та | | | | | | | |
| | | | | | | |впровадження їх у| | | | | | | |
| | | | | | | |виробництво. | | | | | | | |
| |---------------+-----+----+----+----+----|Випробування | | | | | | | |
| |нові види | 2 | | | 1 | 1 |промислових | | | | | | | |
| |матеріалів | | | | | |партій 4H-SiC | | | | | | | |
| |---------------+-----+----+----+----+----|p-i-n діодів | | | | | | | |
| |нові види | 1 | | | | 1 |в апаратурі | | | | | | | |
| |приладів | | | | | |замовників | | | | | | | |
| |---------------+-----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----|
| | | | | | | | | | інші | 1 |0,25 |0,25 |0,25|0,25|
| |---------------+-----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----|
| | | | | | | | | разом | |2,75 | 0,7 |0,72 |0,69|0,64|
| |---------------+-----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----|
| |технологічні | 2 | 1 | 1 | | |3) модернізація | |державний| 0,1 |0,03 |0,07 | | |
| |регламенти | | | | | |технологічної | | бюджет | | | | | |
| | | | | | | |дільниці | | | | | | | |
| | | | | | | |піролітичних | | | | | | | |
| | | | | | | |процесів. | | | | | | | |
| | | | | | | |Модернізація | | | | | | | |
| | | | | | | |установки | | | | | | | |
| | | | | | | |осадження з | | | | | | | |
| | | | | | | |парогазової фази | | | | | | | |
| | | | | | | |при низькому | | | | | | | |
| | | | | | | |тиску (LP CVD) | | | | | | | |
| | | | | | | |"Изотрон 2М" для | | | | | | | |
| | | | | | | |нанесення | | | | | | | |
| | | | | | | |епітаксіальних | | | | | | | |
| | | | | | | |плівок SiGe та Si| | | | | | | |
| |---------------+-----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----|
| | | | | | | | | | інші | 0,4 | 0,1 | 0,1 |0,1 |0,1 |
| |---------------+-----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----|
| | | | | | | | | разом | | 0,5 |0,13 |0,17 |0,1 |0,1 |
| |---------------+-----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----|
| |технологічні | 1 | | | | 1 |4) розроблення | |державний|0,25 |0,04 |0,07 |0,08|0,06|
| |регламенти | | | | | |технології | | бюджет | | | | | |
| | | | | | | |одержання шарів | | | | | | | |
| | | | | | | |SiGe та Si | | | | | | | |
| | | | | | | |методом | | | | | | | |
| | | | | | | |піролітичного | | | | | | | |
| | | | | | | |осадження при | | | | | | | |
| | | | | | | |низькому тиску | | | | | | | |
| | | | | | | |(LP CVD) для | | | | | | | |
| | | | | | | |створення | | | | | | | |
| | | | | | | |надвисокочастот- | | | | | | | |
| | | | | | | |них структур та | | | | | | | |
| | | | | | | |інтегральних схем| | | | | | | |
| | | | | | | |на основі кремнію| | | | | | | |
| |---------------+-----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----|
| |технологічні | 2 | 1 | | 1 | |5) дослідження та| | -"- |0,17 |0,04 |0,03 |0,05|0,05|
| |регламенти | | | | | |удосконалення | | | | | | | |
| | | | | | | |методів | | | | | | | |
| | | | | | | |проектування | | | | | | | |
| | | | | | | |надвисокочастот- | | | | | | | |
| | | | | | | |них інтегральних | | | | | | | |
| | | | | | | |мікросхем | | | | | | | |
| | | | | | | |діапазону від | | | | | | | |
| | | | | | | |1 ГГц до 77 ГГц | | | | | | | |
| | | | | | | |на основі | | | | | | | |
| | | | | | | |технології | | | | | | | |
| | | | | | | |комплементарно- | | | | | | | |
| | | | | | | |метал-оксид- | | | | | | | |
| | | | | | | |напівпровіднико- | | | | | | | |
| | | | | | | |вої технології | | | | | | | |
| |---------------+-----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----|
| |технологічні | 2 | 1 | | 1 | |6) дослідження та| |державний| 0,2 |0,04 |0,04 |0,06|0,06|
| |регламенти | | | | | |розроблення ряду | | бюджет | | | | | |
| | | | | | | |надвисокочастот- | | | | | | | |
| | | | | | | |них інтегральних | | | | | | | |
| | | | | | | |схем | | | | | | | |
| | | | | | | |(підсилювачі, | | | | | | | |
| | | | | | | |генератори, | | | | | | | |
| | | | | | | |змішувачі та | | | | | | | |
| | | | | | | |інше) для | | | | | | | |
| | | | | | | |мобільного, | | | | | | | |
| | | | | | | |волоконно- | | | | | | | |
| | | | | | | |оптичного та | | | | | | | |
| | | | | | | |космічного | | | | | | | |
| | | | | | | |зв'язку, | | | | | | | |
| | | | | | | |супутникового | | | | | | | |
| | | | | | | |телебачення. | | | | | | | |
| | | | | | | |Виготовлення | | | | | | | |
| | | | | | | |зразків надви- | | | | | | | |
| | | | | | | |сокочастотних | | | | | | | |
| | | | | | | |інтегральних | | | | | | | |
| | | | | | | |схем та | | | | | | | |
| | | | | | | |дослідження їх | | | | | | | |
| | | | | | | |параметрів | | | | | | | |
|------------------+---------------+-----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----|
|Разом за завданням| | | | | | | | | |6,64 |1,65 |1,76 |1,68|1,55|
|4 | | | | | | | | | | | | | | |
|------------------+---------------+-----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----|
|у тому числі | | | | | | | | | -"- |4,24 |1,05 |1,16 |1,08|0,95|
| | | | | | | | | |---------+-----+-----+-----+----+----|
| | | | | | | | | | інші | 2,4 | 0,6 | 0,6 |0,6 |0,6 |
|------------------+---------------+-----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----|
|Усього за | | | | | | | | | | 80 |20,35|21,25|20,1|18,3|
|Програмою | | | | | | | | | | | | | | |
|------------------+---------------+-----+----+----+----+----+-----------------+-----------+---------+-----+-----+-----+----+----|
|у тому числі | | | | | | | | |державний| 60 |15,35|16,25|15,1|13,3|
| | | | | | | | | | бюджет | | | | | |
| | | | | | | | | |---------+-----+-----+-----+----+----|
| | | | | | | | | | інші | 20 | 5 | 5 | 5 | 5 |
----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Додаток 3
до Програми
| Найменування завдання | Найменування показника | Значення показників | ||||
| усього | у тому числі за роками | |||||
| 2008 | 2009 | 2010 | 2011 | |||
| 1. Створення мікроелектронних приладів для сфери охорони здоров'я, моніторингу (зокрема ядерного) навколишнього природного середовища, запобігання тероризму | дослідно- конструкторські роботи | 19 | 8 | 8 | 2 | 1 |
| технології світового рівня | 16 | 1 | 3 | 9 | 3 | |
| технологічні регламенти | 6 | 1 | 1 | 4 | ||
| нові види матеріалів | 2 | 1 | 1 | |||
| нові види приладів | 4 | 1 | 1 | 2 | ||
| 2. Створення принципово нових матеріалів, у тому числі наноматеріалів, компонентів для мікроелектроніки | дослідно- конструкторські роботи | 7 | 4 | 3 | ||
| технології світового рівня | 3 | 2 | 1 | |||
| технологічні регламенти | 1 | 1 | ||||
| нові види матеріалів | 2 | 1 | 1 | |||
| 3. Створення приладів інфрачервоної мікроелектроніки | дослідно- конструкторські роботи | 2 | 1 | 1 | ||
| технології світового рівня | 4 | 1 | 2 | 1 | ||
| технологічні регламенти | 3 | 1 | 1 | 1 | ||
| нові види матеріалів | 1 | 1 | ||||
| нові види приладів | 1 | 1 | ||||
| 4. Забезпечення розвитку твердотільної надвисокочастотної електроніки міліметрового діапазону довжини хвиль | дослідно- конструкторські роботи | 4 | 2 | 2 | ||
| технології світового рівня | 3 | 1 | 2 | |||
| технологічні регламенти | 10 | 3 | 1 | 4 | 2 | |
| нові види матеріалів | 3 | 1 | 2 | |||
| нові види приладів | 2 | 2 | ||||
| Усього | дослідно- конструкторські роботи | 32 | 15 | 8 | 8 | 1 |
| технології світового рівня | 26 | 1 | 6 | 12 | 7 | |
| технологічні регламенти | 20 | 3 | 3 | 7 | 7 | |
| нові види матеріалів | 8 | 1 | 3 | 4 | ||
| нові види приладів | 7 | 1 | 1 | 5 | ||