КАБІНЕТ МІНІСТРІВ УКРАЇНИ
П О С Т А Н О В А
від 31 серпня 2011 р. N 908
Київ
|
Про внесення змін до постанови Кабінету Міністрів України від 21 листопада 2007 р. N 1355
Кабінет Міністрів України постановляє:
Внести до постанови Кабінету Міністрів України від 21 листопада 2007 р. N 1355 (
1355-2007-п)
"Про затвердження Державної цільової науково-технічної програми "Розроблення і освоєння мікроелектронних технологій, організація серійного випуску приладів і систем на їх основі" на 2008-2011 роки" (Офіційний вісник України, 2007 р., N 90, ст. 3305) зміни, що додаються.
Прем'єр-міністр України
|
М.АЗАРОВ
|
ЗАТВЕРДЖЕНО
постановою Кабінету Міністрів України
від 31 серпня 2011 р. N 908
ЗМІНИ,
що вносяться до постанови Кабінету Міністрів України від 21 листопада 2007 р. N 1355 ( 1355-2007-п )
1. У назві та пункті 1 постанови цифри "2008-2011" замінити цифрами "2008-2012".
2. У Державній цільовій науково-технічній програмі "Розроблення і освоєння мікроелектронних технологій, організація серійного випуску приладів і систем на їх основі " на 2008-2011 роки" (
1355-2007-п)
, затвердженій зазначеною постановою:
1) у назві Програми (
1355-2007-п)
цифри "2008-2011" замінити цифрами "2008-2012";
2) у розділі "Обсяги та джерела фінансування":
в абзаці другому цифри і слова "2011 році - 13,3 млн.," замінити цифрами і словами "2011 - 13,3 млн., 2012 році - 9,8 млн.,";
абзац третій виключити;
у додатку 1:
у назві та пункті 6 додатка цифри "2008-2011" замінити цифрами "2008-2012";
пункти 4 і 7 викласти у такій редакції:
"4. Керівник Програми - Голова Держінформнауки.";
"7. Прогнозні обсяги та джерела фінансування, млн. гривень:
Джерела
фінансування
|
Обсяг
фінансування
|
У тому числі за роками
|
2008
|
2009
|
2010
|
2011
|
2012
|
Державний бюджет
|
69,8
|
15,35
|
16,25
|
15,1
|
13,3
|
9,8
|
Інші джерела
|
21,1
|
5
|
5
|
5
|
5
|
1,1
|
Усього
|
90,9
|
20,35
|
21,25
|
20,1
|
18,3
|
10,9";
|
у додатку 2:
графи "Значення показника" та "У тому числі за роками" доповнити підграфою "2012";
пункт 2 викласти у такій редакції:
Найменування
завдання
|
Найменування
показника
|
Значення показника
|
Найменування
заходу
|
Головний
розпорядник
бюджетних
коштів
|
Джерела
фінансу-
вання
|
Прогнозний
обсяг
фінансових
ресурсів для
виконання
завдань,
млн. гривень
|
У тому числі за роками
|
усього
|
за роками
|
2008
|
2009
|
2010
|
2011
|
2012
|
2008
|
2009
|
2010
|
2011
|
2012
|
2. Створення
принципово нових
матеріалів, у
тому числі
наноматеріалів,
компонентів
для
мікроелектроніки
|
дослідно-
конструкторські
роботи
|
2
|
1
|
|
1
|
|
|
1) розроблення
технології
одержання нових
напівпровідникових
матеріалів на
основі квантових
точок
халькогенідів для
створення емітерів
світла видимого і
ближнього
інфрачервоного
діапазону
(500-1400 нм)
з регульованим
спектром
випромінювання.
Виготовлення
дослідних зразків
світлодіодів
|
Національна
академія
наук
|
державний
бюджет
|
4,41
|
1,15
|
1,27
|
1,09
|
0,9
|
|
|
нові види
матеріалів
|
2
|
|
1
|
|
1
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
дослідно-
конструкторські
роботи
|
1
|
1
|
|
|
|
|
2) розроблення
технології
виготовлення
нанокераміки на
основі важких
оксидів
рідкісноземельних
металів для
реєстрації
іонізуючого
випромінювання.
|
|
-"-
|
5,25
|
1,5
|
1,4
|
1,25
|
1,1
|
|
|
технологічні
регламенти
|
1
|
|
|
1
|
|
|
Розроблення
технологічного
регламенту
виготовлення
нанокераміки.
Випуск дослідної
партії
сцинтиляційних
елементів для
реєстрації
рентгенівських та
гамма-квантів
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
дослідно-
конструкторські
роботи
|
3
|
1
|
|
1
|
|
1
|
3) розроблення
технології
отримання
високоякісних
підкладок із
сапфіру для
структур кремній
на сапфірі, для
світлодіодів та
інших
комплектуючих
приладів
мікроелектроніки.
Створення
дослідно-
промислової
ділянки і
виготовлення
|
|
державний
бюджет
|
22,9
|
3,1
|
3,5
|
3,4
|
3,1
|
9,8
|
|
технології
світового
рівня
|
3
|
|
1
|
|
1
|
1
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
технологічні
регламенти
|
2
|
|
|
|
|
2
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
підкладок із
кристалів,
вирощених різними
методами для
великих
інтегральних схем,
світлодіодів
тощо
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
інші
|
8,1
|
1,75
|
1,75
|
1,75
|
1,75
|
1,1
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
разом
|
|
31
|
4,85
|
5,25
|
5,15
|
4,8
|
10,9
|
|
дослідно-
конструкторські
роботи
|
2
|
1
|
|
1
|
|
|
4) розроблення
іонно-плазмової
технології
одержання
кристалічних
плівок SiC на
кремнієвих і
сапфірових
підкладках для
створення
фотоперетворюючих
приладів
авіаційної і
атомної
|
|
державний
бюджет
|
1,52
|
0,4
|
0,46
|
0,35
|
0,31
|
|
|
технології
світового
рівня
|
1
|
|
1
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
промисловості.
Виготовлення та
натурні
випробування
макетів
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ультрафіолетових
сенсорів у
широкому діапазоні
термічних та
радіаційних дій
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Разом
за завданням 2
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
42,18
|
7,9
|
8,38
|
7,84
|
7,16
|
10,9
|
у тому числі
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
державний
бюджет
|
34,08
|
6,15
|
6,63
|
6,09
|
5,41
|
9,8
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
інші
|
8,1
|
1,75
|
1,75
|
1,75
|
1,75
|
1,1";
|
позицію "Усього за Програмою" викласти у такій редакції:
"Усього за
Програмою
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
90,9
|
20,35
|
21,25
|
20,1
|
18,3
|
10,9
|
у тому числі
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
державний
бюджет
|
69,8
|
15,35
|
16,25
|
15,1
|
13,3
|
9,8
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
інші
|
21,1
|
5
|
5
|
5
|
5
|
1,1";
|
у додатку 3:
графу "Значення показників" доповнити підграфою "2012";
пункт 2 викласти у такій редакції:
"Найменування
завдання
|
Найменування
показника
|
Значення показників
|
усього
|
у тому числі за роками
|
2008
|
2009
|
2010
|
2011
|
2012
|
2. Створення
принципово нових
матеріалів, у
тому числі
наноматеріалів,
компонентів для
мікроелектроніки
|
дослідно-
конструкторські
роботи
|
8
|
4
|
|
3
|
|
1
|
технології
світового рівня
|
4
|
|
2
|
|
1
|
1
|
технологічні
регламенти
|
3
|
|
|
1
|
|
2
|
нові види
матеріалів
|
2
|
|
1
|
|
1";
|
|
позицію "Усього" викласти у такій редакції:
"Найменування
завдання
|
Найменування
показника
|
Значення показників
|
усього
|
у тому числі за роками
|
2008
|
2009
|
2010
|
2011
|
2012
|
Усього
|
дослідно-
конструкторські
роботи
|
33
|
15
|
8
|
8
|
1
|
1
|
технології
світового рівня
|
27
|
2
|
5
|
12
|
7
|
1
|
технологічні
регламенти
|
22
|
3
|
3
|
7
|
7
|
2
|
нові види
матеріалів
|
8
|
|
1
|
3
|
4
|
|
|
нові види
приладів
|
7
|
1
|
|
1
|
5".
|
|