КАБІНЕТ МІНІСТРІВ УКРАЇНИ
П О С Т А Н О В А
від 21 листопада 2007 р. N 1355
Київ

Про затвердження Державної цільової науково-технічної програми "Розроблення і освоєння мікроелектронних технологій, організація серійного випуску приладів і систем на їх основі" на 2008-2012 роки

( Назва Постанови із змінами, внесеними згідно з Постановою КМ N 908 (908-2011-п) від 31.08.2011 ) ( Із змінами, внесеними згідно з Постановою КМ N 908 (908-2011-п) від 31.08.2011 )
Кабінет Міністрів України постановляє:
1. Затвердити Державну цільову науково-технічну програму "Розроблення і освоєння мікроелектронних технологій, організація серійного випуску приладів і систем на їх основі" на 2008-2011 роки (далі - Програма), що додається.
2. Міністерству економіки за поданням Національної академії наук включити визначені Програмою завдання, показники і заходи до розділів проекту Державної програми економічного і соціального розвитку України на відповідний рік.
3. Національній академії наук та Міністерству фінансів передбачити під час складання проекту Державного бюджету України на відповідний рік кошти, необхідні для виконання визначених Програмою завдань і заходів.
4. Національній академії наук подавати щороку до 1 березня Кабінетові Міністрів України узагальнену інформацію про хід виконання Програми.
Прем'єр-міністр України
В.ЯНУКОВИЧ
Інд. 42 
ЗАТВЕРДЖЕНО
постановою Кабінету Міністрів України
від 21 листопада 2007 р. N 1355

ДЕРЖАВНА ЦІЛЬОВА НАУКОВО-ТЕХНІЧНА ПРОГРАМА

"Розроблення і освоєння мікроелектронних технологій, організація серійного випуску приладів і систем на їх основі" на 2008-2012 роки

( Назва Програми із змінами, внесеними згідно з Постановою КМ N 908 (908-2011-п) від 31.08.2011 )

Загальна частина

Мікроелектроніка має стратегічне значення для економіки України, оскільки визначає технічний рівень промислової і побутової продукції, її конкурентоспроможність, стимулює розвиток інших галузей. Обороноздатність країни також потребує високого рівня забезпечення військової техніки вітчизняною електронною елементною базою, оскільки використання зарубіжної електроніки неприпустиме.
Україна входить до переліку 17 країн світу, які володіють мікроелектронними технологіями. Програма спрямована на відродження і підтримку вітчизняного виробництва, розвиток нових електронних технологій. Відновлення найбільш технологічно розвинутих напрямів виробництва матеріалів, пристроїв і систем електроніки, їх подальший розвиток забезпечать становлення високотехнологічного укладу економіки, підвищення конкурентоспроможності продукції, розв'язання важливих соціальних завдань, пов'язаних з підвищенням рівня життя населення.

Мета Програми

Метою Програми є:
розвиток нових конкурентоспроможних напрямів виробництва наукоємних матеріалів електронної техніки і електронного приладобудування на базі вітчизняних технологій та суттєве (до 15 відсотків) збільшення обсягів їх виробництва, зростання експортного потенціалу;
розроблення, освоєння та організація серійного випуску принципово нових матеріалів, електронної компонентної бази новітнього покоління та мікроелектронних приладів на її основі;
доведення до завершення одержаних у 2005-2007 роках результатів науково-технічних розроблень у галузі мікроелектроніки.
Мета Програми відповідає пріоритетним напрямам державної політики, визначеним у Законі України "Про пріоритетні напрями розвитку науки і техніки" (2623-14) і в Декларації цілей та завдань бюджету на 2008 рік (Бюджетній декларації), схваленій постановою Кабінету Міністрів України від 1 березня 2007 р. N 316 (316-2007-п) (Офіційний вісник України, 2007 р., N 16, ст. 602), в якій зазначено необхідність підвищення рівня наукоємності та прискореного розвитку високотехнологічних галузей, в тому числі мікроелектроніки, в цілях збільшення обсягу випуску імпортозамінної конкурентоспроможної вітчизняної продукції.

Шляхи і способи розв'язання проблеми

Проблема розв'язується шляхом створення вітчизняного виробництва електронної компонентної бази.
Програма орієнтована на розробки, в яких організації-виконавці вже мають суттєві напрацювання.
Прогнозні обсяги і джерела фінансування Програми наведені у паспорті (додаток 1).

Завдання і заходи

Для розв'язання проблеми необхідно виконати такі основні завдання:
створення мікроелектронних приладів для охорони здоров'я, моніторингу (зокрема ядерного) навколишнього природного середовища, запобігання тероризму;
створення принципово нових матеріалів (у тому числі наноматеріалів) і компонентів для мікроелектроніки;
створення приладів інфрачервоної мікроелектроніки нового покоління з високою роздільною здатністю і розширеним діапазоном функціонування;
забезпечення розвитку твердотільної надвисокочастотної електроніки міліметрового діапазону довжини хвиль за такими напрямами: створення елементної бази приладів, розроблення і виробництво діодів, елементів інтегральних схем, базових модулів і апаратури для новітніх систем навігації та радіолокації;
розширення експортного потенціалу в сфері високих мікроелектронних технологій.
Завдання і заходи з виконання Програми наведено у додатку 2.

Очікувані результати, ефективність Програми

У результаті виконання Програми очікується:
створення детекторів радіації та сенсорів з метою контролю багажу, легкових та вантажних автомобілів, для рентгенівської техніки в медицині, моніторингу радіаційної безпеки територій атомних електричних станцій, організація виробництва порталів і рентгенівських сканерів;
розроблення технології виготовлення нанокераміки на основі важких оксидів рідкісноземельних металів для реєстрації іонізуючого випромінювання;
організація виробництва високоякісних підкладок із сапфіру для структур кремній на сапфірі, світлодіодів та інших комплектувальних приладів мікроелектроніки;
розроблення та освоєння випуску багатоелементних інфрачервоного діапазону фотоприймальних пристроїв та випромінювачів інфрачервоного діапазону спектра з роздільною здатністю, близькою до дифракційної межі і необхідною для одержання гранично можливого обсягу інформації;
     освоєння випуску не охолоджуваних  багатоелементних  чутливих
приймачів  терагерцового діапазону на основі напівпровідників типу
 2 6       4 6
A B   та  A B   для  систем  активного  бачення  та  ідентифікації
вибухонебезпечних речовин, наркотиків тощо;
організація виробництва надвисокочастотної елементної бази міліметрового діапазону та інтегральних схем, мікроприладів для забезпечення нового покоління малогабаритних надвисокочастотних систем, зокрема автомобільних радарних сенсорів, малогабаритних передавально-приймальних модулів для малогабаритних корабельних та гелікоптерних радарів, та надшвидких радіорелейних систем зв'язку.
Очікувані результати, яких передбачається досягти в ході виконання Програми, наведено у додатку 3.

Обсяги та джерела фінансування

Фінансування Програми здійснюється за рахунок коштів державного бюджету, а також інших джерел.
Загальний обсяг фінансування Програми становить 80 млн. гривень, з них з державного бюджету - 60 млн., зокрема у 2008 році - 15,35 млн., 2009 - 16,25 млн., 2010 - 15,1 млн., 2011 - 13,3 млн., 2012 році - 9,8 млн., з інших джерел - 20 млн. гривень.
( Абзац другий Розділу "Обсяги та джерела фінансування" із змінами, внесеними згідно з Постановою КМ N 908 (908-2011-п) від 31.08.2011 ) ( Абзац третій Розділу "Обсяги та джерела фінансування" виключено на підставі Постанови КМ N 908 (908-2011-п) від 31.08.2011 ) 
Додаток 1
до Програми

ПАСПОРТ

Державної цільової науково-технічної програми "Розроблення і освоєння мікроелектронних технологій, організація серійного випуску приладів і систем на їх основі" на 2008-2012 роки

1. Концепція Програми схвалена розпорядженням Кабінету Міністрів України від 3 жовтня 2007 р. N 814 (814-2007-р) .
2. Програма затверджена постановою Кабінету Міністрів України від 21 листопада 2007 р. N 1355.
3. Державний замовник - Національна академія наук.
4. Керівник Програми - Голова Держінформнауки.
5. Виконавці заходів Програми - наукові установи та підприємства.
6. Строк виконання: 2008-2012 роки.
7. Прогнозні обсяги та джерела фінансування, млн. гривень:
Джерела фінансування Обсяг фінансування У тому числі за роками
2008 2009 2010 2011 2012
Державний бюджет 69,8 15,35 16,25 15,1 13,3 9,8
Інші джерела 21,1 5 5 5 5 1,1
Усього 90,9 20,35 21,25 20,1 18,3 10,9
( Додаток 1 із змінами, внесеними згідно з Постановою КМ N 908 (908-2011-п) від 31.08.2011 ) 
Додаток 2
до Програми

ЗАВДАННЯ І ЗАХОДИ

з виконання Державної цільової науково-технічної програми "Розроблення і освоєння мікроелектронних технологій, організація серійного випуску приладів і систем на їх основі" на 2008-2011 роки

Найменування завдання Найменування показника Значення показника Найменування заходу Головний розпорядник бюджетних коштів Джерела фінансу- вання Прог- ноз- ний обсяг фіна- нсо- вих ресу- рсів для вико- нання зав- дань, млн. гри- вень У тому числі за роками:
усьо- го за роками
2008 2009 2010 2011 2012
2008 2009 2010 2011 2012
1. Створення мікроелектронних приладів для сфери охорони здоров'я, моніторингу (зокрема, ядерного) навколишнього природного середовища, запобігання тероризму Національна академія наук
нові види приладів 1 1 1) розроблення конструкції ультрафіолетових, нейтронних і рентгенівських сенсорів та дозиметрів державний бюджет 0,2 0,2
дослідно- конструкторські роботи 1 1 2) розроблення технології виготовлення сенсорів для рентгенівських сканерів, спектрометричних порталів та приладів контролю радіаційної обстановки. Відпрацювання оптимальних технологічних режимів вирощування сцинтиляційних кристалів з наперед заданими властивостями. Виготовлення технологічного обладнання. Розроблення технологічного регламенту вирощування та обробки кристалів. Розроблення конструкцій порталів та рентгенівських сканерів -"- 8,55 4,7 2,6 0,85 0,4
технології світового рівня 1 1
технологічні регламенти 2 2
нові види приладів 1 1
дослідно- конструкторські роботи 1 1 3) розроблення нового покоління лінійних та матричних формувачів рентгенівського зображення. Виготовлення дослідних зразків виробів державний бюджет 0,8 0,4 0,4
технології світового рівня 1 1
технологічні регламенти 1 1
технологічні регламенти 1 1 4) виготовлення дослідних зразків порталів та рентгенівських сканерів, приладів широкого спектра дії для контролю за радіаційною обстановкою -"- 3,62 1,8 1,82
нові види приладів 1 1
дослідно- конструкторські роботи 1 1 5) створення дослідної промислової ділянки для виробництва порталів та рентгенівських сканерів -"- 2,83 0,7 2,13
технологічні регламенти 1 1
інші 3 0,75 0,75 0,75 0,75
разом 5,83 0,75 0,75 1,45 2,88
дослідно- конструкторські роботи 1 1 6) організація промислового виробництва ультрафіолетових і рентгенівських сенсорів, дозиметрів та приладів широкого спектра дії для контролю за радіаційною обстановкою державний бюджет 3,1 0,4 1 1,7
технології світового рівня 2 1 1
нові види приладів 1 1
інші 5,6 1,4 1,4 1,4 1,4
разом 8,7 1,4 1,8 2,4 3,1
дослідно- конструкторські роботи 1 1 7) розроблення технології виготовлення дозиметрів на основі полімерних та полікристалічних сцинтиляційних матеріалів для реєстрації радіонуклідів у навколишньому середовищі. Створення дослідних зразків дозиметрів для визначення низьких активностей бета- радіонуклідів у водному середовищі державний бюджет 1,36 0,35 0,37 0,34 0,3
технології світового рівня 2 1 1
нові види матеріалів 1 1
технології світового рівня 2 1 1 8) створення нових матеріалів і конструкцій блоків детектування іонізуючого випромінювання на базі кристалів важких оксидів. Виготовлення дослідної партії блоків детектування державний бюджет 0,32 0,13 0,05 0,07 0,07
нові матеріали 1 1
дослідно- конструкторські роботи 2 1 1 9) розроблення детекторного матеріалу і конструкцій широкодіапазон- ного, аварійного та спектрометричного блоків детектування на основі кристалів CdZnTe для систем контролю гамма- випромінювання в атомній енергетиці -"- 1,43 0,47 0,43 0,39 0,14
дослідно- конструкторські роботи 2 1 1 10) створення технології і дослідних ділянок вирощування детекторних кристалів CdZnTe. Виготовлення детекторів і блоків детектування -"- 0,82 0,26 0,17 0,17 0,22
технології світового рівня 1 1
технологічні регламенти 1 1
дослідно- конструкторські роботи 2 1 1 11) випуск дослідної партії кристалів CdZnTe, дозиметричних, аварійних і спектрометричних блоків детектування -"- 0,6 0,19 0,17 0,24
технології світового рівня 2 1 1 12) організація дослідно- промислового виробництва кристалів CdZnTe для детекторів ядерного випромінювання спектрометричної якості, створення дослідно- промислового виробництва приладів для дозиметрії і моніторингу території атомних електростанцій, аналізу ізотопного складу і контролю герметичності тепловипроміню- вачів, неруйнівного контролю елементів атомних електростанцій -"- 0,89 0,29 0,22 0,19 0,19
інші 2 0,5 0,5 0,5 0,5
разом 2,89 0,79 0,72 0,69 0,69
дослідно- конструкторські роботи 2 1 1 13) освоєння серійного виробництва: кремнієвих p-i-n фотодіодів, багатоелементних (16-, 32-, 64- канальних) p-i-n фотодіодних лінійок; ультрафіолетових сенсорів на основі ZnSe. Комплектування ділянок складальним, технологічним та контрольно- вимірювальним обладнанням, відпрацювання складальних процесів та методик. Розроблення робочої документації. Виготовлення партій виробів державний бюджет 0,8 0,2 0,2 0,2 0,2
технологи світового рівня 2 1 1
дослідно- конструкторські роботи 2 1 1 14) розроблення та випуск інтегральної схеми кремнієвої лінійки на 128 (256, 512) елементів з електронікою зчитування сигналів на кристалі мікросхеми для портативного лінійного формувача рентгенівського зображення -"- 0,65 0,15 0,15 0,2 0,15
технології світового рівня 1 1
дослідно- конструкторські роботи 2 1 1 15) розроблення інтегральної схеми кремнієвої матриці форматом 25 х 25 мм та інтегральних схем зчитування електроніки для двохкоординатного формувача рентгенівського зображення для інспекційних сканерів, томографів, дефектоскопів, дентальних апаратів, контролю поштових відправлень -"- 0,31 0,07 0,07 0,1 0,07
технології світового рівня 1 1
дослідно- конструкторські роботи 2 1 1 16) розроблення технології створення інтегрованих детекторів випромінювань на основі гетероструктур напівпровідник- сцинтилятор II IV (A B сполука) -"- 0,34 0,08 0,08 0,1 0,08
технології світового рівня 1 1
Разом за завданням 1 37,22 9,55 9,78 9,35 8,54
у тому числі -"- 26,62 6,9 7,13 6,7 5,89
інші 10,6 2,65 2,65 2,65 2,65
2. Створення принципово нових матеріалів, у тому числі наноматеріалів, компонентів для мікроелектроніки дослідно- конструкторські роботи 2 1 1 1) розроблення технології одержання нових напівпровіднико- вих матеріалів на основі квантових точок халькогенідів для створення еміте- рів світла види- мого і ближнього інфрачервоного діапазону (500-1400 нм) з регульованим спектром випромінювання. Виготовлення дослідних зразків світлодіодів Національна академія наук державний бюджет 4,41 1,15 1,27 1,09 0,9
нові види матеріалів 2 1 1
дослідно- конструкторські роботи 1 1 2) розроблення технології виготовлення нанокераміки на основі важких оксидів рідкісноземельних металів для реєстрації іонізуючого випромінювання. -"- 5,25 1,5 1,4 1,25 1,1
технологічні регламенти 1 1 Розроблення технологічного регламенту виготовлення нанокераміки. Випуск дослідної партії сцинтиляційних елементів для реєстрації рентгенівських та гамма-квантів
дослідно- конструкторські роботи 3 1 1 1 3) розроблення технології отримання високоякісних підкладок із сапфіру для структур кремній на сапфірі, для світлодіодів та інших комплектуючих приладів мікроелектроніки. Створення дослідно- промислової ділянки і виготовлення державний бюджет 22,9 3,1 3,5 3,4 3,1 9,8
технології світового рівня 3 1 1 1
технологічні регламенти 2 2
підкладок із кристалів, вирощених різними методами для великих інтегральних схем, світлодіодів тощо
інші 8,1 1,75 1,75 1,75 1,75 1,1
разом 31 4,85 5,25 5,15 4,8 10,9
дослідно- конструкторські роботи 2 1 1 4) розроблення іонно-плазмової технології одержання кристалічних плівок SiC на кремнієвих і сапфірових підкладках для створення фотоперетворюючих приладів авіаційної і атомної промисловості. Виготовлення та натурні випробування макетів державний бюджет 1,52 0,4 0,46 0,35 0,31
технології світового рівня 1 1
ультрафіолетових сенсорів у широкому діапазо- ні термічних та радіаційних дій
Разом за завданням 2 42,18 7,9 8,38 7,84 7,16 10,9
у тому числі державний бюджет 34,08 6,15 6,63 6,09 5,41 9,8
3. Створення приладів інфрачервоної мікроелектроніки Національна академія наук інші 8,1 1,75 1,75 1,75 1,75 1,1
технології світового рівня 2 1 1 1) розроблення конструкторської документації на виготовлення дослідного зразка тепловізора з інфрачервоною фотоприймальною матрицею формату 128 х 128 діапазону 3-5 мкм з послідовним зчитуванням інформації. Виготовлення дослідного зразка тепловізора та проведення його натурних випробувань державний бюджет 1,79 0,67 0,75 0,37
технологічні регламенти 2 1 1
нові види матеріалів 1 1
дослідно- конструкторські роботи 1 1 2) створення комплементарно- метал-оксид- напівпровіднико- вої технології виготовлення схем зчитування формату 4 х 288 з часовою затримкою та накопиченням, фотоприймальних пристроїв і тепловізора із зміною напрямку сканування на їх основі для систем пасивного спостереження, теплопеленгації та моніторингу навколишнього природного середовища з параметрами, близькими до обмежених флуктуаціями фонового випромінювання при полі зору <= 30 град. (D(л) * приблизно 10 8*10 см * 1/2 -1 Гц * Вт ) для спектрального діапазону 8-12 мкм. Розроблення конструкторської документації, виготовлення тепловізора з інфрачервоним фотоприймачем формату 4 х 288 та проведення його натурних випробувань -"- 1,9 0,58 0,58 0,37 0,37
технології світового рівня 2 1 1
нові види приладів 1 1
технологічні регламенти 1 1 3) розроблення архітектури схем зчитування та матриць приймачів випромінювання формату 576 х 6, виготовлення дослідних зразків схем зчитування формату 576 х 6 та їх атестація державний бюджет 0,6 0,3 0,3
дослідно- конструкторські роботи 1 1 4) розроблення неохолоджуваних багатоелементних чутливих приймачів терагерцового діапазону на основі напівпровідників 2 6 4 6 типу A B та A B (область спектра 0,15-8 мм) для систем активного бачення та ідентифікації вибухонебезпечних речовин, наркотиків, складу біологічних та органічних об'єктів. Розроблення конструкторської документації на виготовлення лабораторних зразків приймачів міліметрового та субміліметрового діапазону спектра на основі неохолоджуваних або слабо охолоджуваних болометрів на гарячих носіях для портативних систем активного бачення або аналізаторів спектра, виготовлення лабораторних зразків неохолоджуваних багатоелементних чутливих приймачів терагерцового діапазону на основі напівпровідників типу 2 6 4 6 A B та A B -"- 0,57 0,19 0,38
Разом за завданням 3 4,86 1,25 1,33 1,23 1,05
у тому числі державний бюджет 4,86 1,25 1,33 1,23 1,05
4. Забезпечення розвитку твердотільної надвисокочастотної електроніки міліметрового діапазону довжини хвиль Національна академія наук
дослідно- конструкторські роботи 2 1 1 1) розроблення і впровадження у промислове виробництво суперпотужних кремнієвих лавино-пролітних діодів восьмимі- ліметрового діапазону та малогабаритної навігаційної апаратури на їх основі. Розроблення, проектування та виготовлення генераторних надвисокочастот- них модулів. Розроблення технології та впровадження в промислове виробництво параметричного ряду суперпотужних (до 30 Вт) імпульсних лавино-пролітних діодів для восьмиміліметро- вого діапазону частот для створення новітніх систем навігації. Виготовлення експериментальних партій діодів в умовах промислового виробництва та випробування їх в апаратурі замовників -"- 1,77 0,45 0,48 0,45 0,39
технології світового рівня 1 1
технологічні регламенти 1 1
нові види матеріалів 1 1
нові види приладів 1 1
інші 1 0,25 0,25 0,25 0,25
разом 2,77 0,7 0,73 0,7 0,64
дослідно- конструкторські роботи 2 1 1 2) розроблення та впровадження у промислове виробництво над- високочастотної елементної бази міліметрового і терагерцевого діапазонів та апаратурних модулів на основі нових перспективних матеріалів типу фосфід індію, карбід кремнію та структур на основі синтетичного діаманта. Розроблення базових конструкцій параметричного ряду високоефективних InP діодів Ганна міліметрового та терагерцевого діапазонів (60-175 ГГц). Розроблення базової конструкції параметричного ряду високовольтних швидкодіючих надвисокочастот- них перемикаючих 4H-SiC p-i-n діодів Розроблення технології виробництва високовольтних (до 1500 В) швидкодіючих (до 40 нсек) надвисокочастот- них перемикаючих 4H-SiC p-i-n діодів, призначених для новітніх систем зв'язку та радіолокації, та впровадження їх у виробництво. Випробування промислових партій 4H-SiC p-i-n діодів в апаратурі замовників державний бюджет 1,75 0,45 0,47 0,44 0,39
технології світового рівня 2 1 1
технологічні регламенти 2 1 1
нові види матеріалів 2 1 1
нові види приладів 1 1
інші 1 0,25 0,25 0,25 0,25
разом 2,75 0,7 0,72 0,69 0,64
технологічні регламенти 2 1 1 3) модернізація технологічної дільниці піролітичних процесів. Модернізація установки осадження з парогазової фази при низькому тиску (LP CVD) "Изотрон 2М" для нанесення епітаксіальних плівок SiGe та Si державний бюджет 0,1 0,03 0,07
інші 0,4 0,1 0,1 0,1 0,1
разом 0,5 0,13 0,17 0,1 0,1
технологічні регламенти 1 1 4) розроблення технології одержання шарів SiGe та Si методом піролітичного осадження при низькому тиску (LP CVD) для створення надвисокочастот- них структур та інтегральних схем на основі кремнію державний бюджет 0,25 0,04 0,07 0,08 0,06
технологічні регламенти 2 1 1 5) дослідження та удосконалення методів проектування надвисокочастот- них інтегральних мікросхем діапазону від 1 ГГц до 77 ГГц на основі технології комплементарно- метал-оксид- напівпровіднико- вої технології -"- 0,17 0,04 0,03 0,05 0,05
технологічні регламенти 2 1 1 6) дослідження та розроблення ряду надвисокочастот- них інтегральних схем (підсилювачі, генератори, змішувачі та інше) для мобільного, волоконно- оптичного та космічного зв'язку, супутникового телебачення. Виготовлення зразків надви- сокочастотних інтегральних схем та дослідження їх параметрів державний бюджет 0,2 0,04 0,04 0,06 0,06
Разом за завданням 4 6,64 1,65 1,76 1,68 1,55
у тому числі -"- 4,24 1,05 1,16 1,08 0,95
інші 2,4 0,6 0,6 0,6 0,6
Усього за Програмою 90,9 20,35 21,25 20,1 18,3 10,9
у тому числі державний бюджет 69,8 15,35 16,25 15,1 13,3 9,8
інші 21,1 5 5 5 5 1,1
( Додаток 2 із змінами, внесеними згідно з Постановою КМ N 908 (908-2011-п) від 31.08.2011 ) 
Додаток 3
до Програми

ОЧІКУВАНІ РЕЗУЛЬТАТИ

виконання Державної цільової науково-технічної програми "Розроблення і освоєння мікроелектронних технологій, організація серійного випуску приладів і систем на їх основі" на 2008-2011 роки

Найменування завдання Найменування показника Значення показників
усього у тому числі за роками
2008 2009 2010 2011 2012
1. Створення мікроелектронних приладів для сфери охорони здоров'я, моніторингу (зокрема ядерного) навколишнього природного середовища, запобігання тероризму дослідно- конструкторські роботи 19 8 8 2 1
технології світового рівня 16 1 3 9 3
технологічні регламенти 6 1 1 4
нові види матеріалів 2 1 1
нові види приладів 4 1 1 2
2. Створення принципово нових матеріалів, у тому числі наноматеріалів, компонентів для мікроелектроніки дослідно- конструкторські роботи 8 4 3 1
технології світового рівня 4 2 1 1
технологічні регламенти 3 1 2
нові види матеріалів 2 1 1
3. Створення приладів інфрачервоної мікроелектроніки дослідно- конструкторські роботи 2 1 1
технології світового рівня 4 1 2 1
технологічні регламенти 3 1 1 1
нові види матеріалів 1 1
нові види приладів 1 1
4. Забезпечення розвитку твердотільної надвисокочастотної електроніки міліметрового діапазону довжини хвиль дослідно- конструкторські роботи 4 2 2
технології світового рівня 3 1 2
технологічні регламенти 10 3 1 4 2
нові види матеріалів 3 1 2
нові види приладів 2 2
Усього дослідно- конструкторські роботи 33 15 8 8 1 1
технології світового рівня 27 2 5 12 7 1
технологічні регламенти 22 3 3 7 7 2
нові види матеріалів 8 1 3 4
нові види приладів 7 1 1 5
( Додаток 3 із змінами, внесеними згідно з Постановою КМ N 908 (908-2011-п) від 31.08.2011 )